三星UFS 4.0快閃記憶體速度翻倍功耗減半，即將量產

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三星UFS 4.0快閃記憶體速度翻倍功耗減半，即將量產，根據三星的說法，這種新的，更高效的快閃記憶體晶片標準將用於各種產品。三星UFS 4.0快閃記憶體速度翻倍功耗減半，即將量產。

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你的手機在用哪種規格的快閃記憶體？eMMC還是UFS？

繼今年5月宣佈開發出業內首款UFS 4.0儲存產品後，三星於8月3日在2022快閃記憶體峰會上宣佈，UFS 4.0快閃記憶體本月投入量產。

三星表示，UFS 4.0會率先用於旗艦級智慧手機上，從而滿足處理高解析度影象、重負載遊戲時更高的資料吞吐速度需求。未來，UFS 4.0還會在更多移動裝置、AR、VR裝置上普及。

從時間安排來看，三星8月10日就要釋出Galaxy Z Fold 4/Filp 4摺疊屏手機了，它們倒是有可能首發UFS 4.0。不過，高通的驍龍8+處理器並未提到支援UFS 4.0。

還有觀點認為，UFS 4.0旗艦機實際要等到11月驍龍8 Gen2平臺的產品，比如小米13系列、三星Galaxy S23系列等。

據瞭解，UFS 4.0的每通道頻寬速度增至23.2Gbps，是UFS 3.1的兩倍。基於三星的第七代V-NAND快閃記憶體和自研主控，實測連續讀速可達4200MB/s、連續寫速可達2800MB/s。

可做對比的是，目前業內效能最好的三星512GB UFS 3.1快閃記憶體晶片（2020年3月釋出），標稱連續讀速最高2100MB/s，寫速1200MB/s。對比換算的話，UFS 4.0的寫入提升了1.3倍。

在提速的同時，UFS 4.0快閃記憶體的優勢還有單位功耗更低、封裝尺寸更小、單晶片容量可做到1TB。

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在2022年快閃記憶體峰會期間，三星對其各種計劃進行了一些更新，其中包括啟動UFS 4.0儲存的批量生產。根據三星的說法，這種新的，更高效的快閃記憶體晶片標準將用於各種產品。

“業界首款UFS 4.0移動儲存，由三星於5月開發，計劃於本月投入量產。新的UFS 4.0將成為旗艦智慧手機的關鍵元件，這些智慧手機需要大量的資料處理，以實現高解析度影象和圖形密集型手機遊戲等功能，並將用於移動裝置，VR和AR等。

當你聽到“UFS”這個詞時，一個直接的反應是，這項技術在智慧手機中被廣泛應用。儘管三星尚未明確提及哪些產品將採用其UFS 4.0儲存，但我們很有可能在Galaxy S23系列中看到它們，該系列可能於明年推出。

隨著本月開始量產，大家可能會認為UFS 4.0快閃記憶體將在即將推出的iPhone 14系列中應用。可惜的是，蘋果熱衷於NVMe儲存，因此不太可能在其iPhone上使用三星最新的儲存技術。

回顧一下，UFS 4.0使用三星的Gen 7 V-NAND記憶體和專有控制器，可以達到高達4200MB / s的順序讀取速度和高達2800MB / s的順序寫入速度，這種技術又將智慧手機的速度提升一個新高度，我們很期待它的到來。

此外，UFS 4.0 支援每個通道高達 23.2Gbps，這是 UFS 3.1 標準速度的兩倍。假設效能和記憶體頻寬增加不是優先事項。在這種情況下，應該知道，與上一代產品相比，最新標準在順序讀取速度方面引入了46%的能效。

新的UFS 4.0儲存可以配置為支援高達1TB的儲存，這意味著更多的高階智慧手機將配備更高的板載記憶體版本。

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三星在加利福利亞舉行的2022年快閃記憶體峰會上宣佈，今年5月份釋出的業內首個UFS 4.0快閃記憶體，計劃在本月開始量產。一切順利的話，明年的旗艦機就能用上這款最新的快閃記憶體顆粒，能讓手機的效能進一步提升。

（圖源：三星官方）

三星官方稱，UFS 4.0快閃記憶體將成為旗艦智慧手機的關鍵部件，未來還將用於其他移動裝置、VR/AR裝置等。官方資料顯示，UFS 4.0快閃記憶體的每通道頻寬速度高達23.2Gbps，是目前UFS 3.1的兩倍左右。配合三星第七代V-NAND技術和專用控制器，它能帶來4200MB/s的順序讀取速度，和2800MB/s的順序寫入速度。

讀寫速度提升還是其次，UFS 4.0快閃記憶體最大的提升，是能效得到大幅提高，單位功耗比上一代提升46%，每1mA電流可支援6MB/s的順序讀取速度。也就意味著，在同等功耗下，UFS 4.0快閃記憶體能帶來更快的傳輸速率，如果保持與上一代相同的速率，則可以節省近一半的電量，大幅延長手機的續航時長。

（圖源：三星官方）

智慧手機進入5G時代後，由於在機身內塞入了更多的天線，基帶晶片功耗更高，導致手機的續航大幅縮水。以前3000mAh的電池能用一天，現在4500mAh估計還得一天一充。手機的耗電大戶還不止5G網路，高解析度高刷屏、更強的'處理器以及影像系統，也讓手機續航變得格外拘謹，廠商不得不以犧牲手感為代價，在機身內塞入更大的電池。

可以發現，近兩年手機上的很多技術，不再一味地提高效能，大家也把降低功耗列為主要升級方向。如最新的LPDDR5X記憶體，在LPDDR5的基礎上效能提升33%，同時功耗降低了20%。如果稍微限制一下記憶體的極限效能，能帶來很出色的省電效果，日常的體驗有相當明顯的提升。三星這次帶來的UFS 4.0快閃記憶體也同樣如此，不追求滿血效能的話，功耗表現也會相當亮眼。