三星3nm半導體晶片將於下週對外展示，該公司於6月30日開始大規模生產先進的半導體。據報道，該公司已安排在7月25日星期一舉行啟動儀式。三星3nm半導體晶片將於下週對外展示。
三星3nm半導體晶片將於下週對外展示1
在幾周前宣佈開啟 3nm 環柵電晶體晶片生產後，這家韓國電子科技巨頭又將於下週展示首款 GAA 晶片。與當前 5nm 工藝相比，3nm GAA 可在收縮尺寸的同時，帶來更低的功耗和更高的效能，未來的 Galaxy S 等旗艦裝置有望獲益於此。同時競爭對手臺積電也於本月開啟了 3nm FinFET 生產，但 GAA 晶片要到 2025 年推出。
目前尚不清楚三星 3nm GAA 會從臺積電那邊挖來多少客戶，但從紙面引數來看，其較 5nm 工藝的升級迭代還是相當亮眼的。
對於移動裝置來說，環柵電晶體將帶來能效的顯著提升和尺寸縮排，從而延長電池的續航。
此外 GAA 的設計靈活性，意味其非常有利於設計技術協同優化（DTCO），以及提升功耗、效能和麵積（PPA）優勢。
具體說來是，初代 3nm 工藝比 5nm 節能高達 45%，提升 23% 效能、並減少 16% 的芯片面積。
而二代 3nm 工藝有望降低 50% 功耗，效能提升 30%、並縮減 35% 的芯片面積。
三星仍在努力提升其 3nm 晶片的產能以實現盈利
即便如此，三星仍面臨著臺積電的直接挑戰。當前蘋果 iPhone、iPad、Mac 裝置上使用的所有 A / M 系列晶片，都是交給 TSMC 代工的。
更尷尬的是，即使 2022 下半年被諸多 Android 旗艦智慧機提供支撐的高通驍龍 8 Gen 1 升級款（Snapdragon 8+ Gen 1），也從三星換成了臺積電代工。
據悉，三星原本計劃在 Galaxy S22 上採用自研旗艦晶片，但可惜遇到了過熱的問題，最終只能節流以緩和效能體驗。
至於未來是否還有基於 3nm GAA 環柵電晶體技術的新規劃，目前暫不得而知。
最後，來自韓國的一份報告稱，三星已安排於 7 月 25 日舉辦首款 3nm 晶片的釋出儀式。
然而首個買家卻是一家虛擬貨幣挖礦企業，這類客戶顯然難以幫助三星從臺積電那裡搶來更多業務。
三星3nm半導體晶片將於下週對外展示2
三星將於下週展示全球首款3nm半導體晶片。該公司於6月30日開始大規模生產先進的半導體。據報道，該公司已安排在7月25日星期一舉行啟動儀式。
三星的3nm晶片基於Gate-All-Around(GAA)電晶體架構。它是一種新的晶片架構，與當前解決方案採用的`FinFET（鰭式場效應電晶體）架構相比，效能和功率得到了改進。它還允許更小的處理器佔用空間。
這家韓國公司正在向一家生產虛擬貨幣挖掘處理器的中國公司提供其3nm解決方案的初始生產執行。但是，由於與之相關的行業的性質，該公司並未將其視為長期客戶。三星將尋求加入一些值得信賴的客戶，例如智慧手機制造商。
據報道，它正在努力應對其3nm晶片的良率。該公司生產的大多數先進晶片都不符合要求的質量。這家韓國巨頭現在正在努力提高良率（據說80%到90%是理想的），同時改進其晶片技術。計劃明年初開始生產第二代3nm解決方案。這些可能適用於智慧手機。
臺積電在代工製造領域歷來領先三星，準備在今年晚些時候開始3nm量產。但該公司將繼續使用FinFET架構再發展一代。預計在2025年轉向使用2nm晶片的GAAFET。
然而，臺積電的晶片技術歷來優於三星。它的解決方案能提供更好的整體效能，並且比韓國公司的競爭解決方案更節能。臺積電的晶片在熱管理方面也做得非常好。因此，三星希望縮小與主要競爭對手的差距。
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三星官方在上個月末宣佈，其位於韓國的華城工廠開始生產3nm晶片。這是目前半導體制造工藝中最先進的技術，三星也成為了全球唯一一家提供採用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架構電晶體技術，提供3nm工藝代工服務的代工企業。
據Business Korea報道，三星計劃在2022年7月5日在華城工廠舉行3nm GAA晶片的首次發貨儀式，三星裝置解決方案部分負責人慶桂顯和韓國工業貿易資源部長李昌陽都會出席。據瞭解，首個客戶是上海磐矽半導體，這批晶片將用於虛擬貨幣業務。
有訊息指出，三星可能會使用3nm工藝製造Exynos 2300，或用於明年的Galaxy S23系列，不過前一段有報道稱，其表現不達預期，Galaxy S23系列可能全部採用高通的解決方案。此外，谷歌第三代Tensor晶片也可能採用三星3nm工藝，將用於Pixel 8系列。高通在即將釋出的Snapdragon 8 Gen2上選擇了臺積電的4nm工藝，如無意外並不會出現三星製造的版本。
三星表示，與原來採用FinFET的5nm工藝相比，初代3nm GAA製程節點在功耗、效能和麵積（PPA）方面有不同程度的改進，其面積減少了16%、效能提高23%、功耗降低45%。
到了第二代3nm晶片，面積減少了35%、效能提高30%、功耗降低50%。這也是三星首次實現GAA“多橋-通道場效應電晶體（MBCFET）”應用，打破了FinFET原有的效能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅動電流增強晶片效能。
